صورة مقربة لشعار سامسونج على مبنى الأبحاث في وادي السيليكون، ماونتن فيو، كاليفورنيا، 28 أكتوبر 2018.
مجموعة سميث/جادو | أرشيف الصور | صور جيتي
ارتفعت أسهم شركة سامسونج للإلكترونيات بأكثر من 15% يوم الأربعاء، مما دفع القيمة السوقية لعملاق الرقائق إلى ما يزيد عن تريليون دولار مع استمرار المستثمرين في تكديس الأسهم المرتبطة بالذكاء الاصطناعي.
أصبحت سامسونج ثاني شركة آسيوية تتجاوز حاجز التريليون دولار، بعد TSMC. تجاوزت الشركة لأول مرة عتبة القيمة السوقية البالغة تريليون دولار في 26 فبراير، وفقًا لبيانات FactSet.
أظهرت بيانات من FactSet أن أسهم الشركة قد تجاوزت مستوى قياسيًا وهي في طريقها لتحقيق أكبر مكسب في يوم واحد على الإطلاق.
وجاء هذا الارتفاع في أعقاب أرباح سامسونج للإلكترونيات القياسية في الربع الأول الأسبوع الماضي. وارتفعت الأرباح التشغيلية بأكثر من ثمانية أضعاف لتصل إلى 57.2 تريليون وون، في حين ارتفعت الإيرادات إلى مستوى قياسي بلغ 133.9 تريليون وون كوري.
كما تجاوزت الأرباح التشغيلية لشركة سامسونج في الربع الأول أرباحها لعام 2025 بأكمله البالغة 43.6 تريليون وون.
وجاءت المكاسب أيضًا في أعقاب تقرير بلومبرج بأن شركة أبل أجرت محادثات استكشافية مع سامسونج وإنتل لإنتاج رقائق لأجهزة أبل في الولايات المتحدة، ومن المحتمل التنويع خارج نطاق المورد TSMC منذ فترة طويلة.
كما قفزت أسهم شركة الرقائق الكورية الجنوبية العملاقة SK Hynix بأكثر من 10%، مما ساعد على دفع مؤشر Kospi القياسي بأكثر من 5% ليصل إلى 7000 نقطة للمرة الأولى.
عززت مبيعات الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي، أو رقائق HBM، ربحية سامسونج، لكن الشركة لا تزال تواجه منافسة شديدة بعد أن فقدت ريادتها المبكرة في سوق HBM أمام منافستها SK Hynix.
تعمل سامسونج على تضييق الفجوة مع SK Hynix في قطاع ذاكرة الذكاء الاصطناعي سريع النمو. وفي فبراير، قالت الشركة إنها أصبحت أول شركة في العالم تبدأ الإنتاج الضخم لرقائق HBM4 وتبدأ في تسليمها لعملاء لم يتم الكشف عنهم.
يمثل HBM4 الجيل السادس والأحدث من تكنولوجيا الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي. ومن المتوقع أن تلعب الرقائق دورًا رئيسيًا في بنية Vera Rubin AI القادمة من Nvidia، والتي تهدف إلى تشغيل أعباء عمل الذكاء الاصطناعي المتقدمة في مراكز البيانات.
وقال المحللون إن الارتفاع الحاد في شركة سامسونج للإلكترونيات كان مدفوعًا بازدهار الطلب على الذاكرة المرتبطة بالذكاء الاصطناعي، وتشديد شروط العرض وتحسين القدرة التنافسية في رقائق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي.
وقال يو جينغ جي، محلل أسهم التكنولوجيا في Morningstar: “هناك نقص هائل في رقائق ذاكرة DRAM وNAND بسبب الطلب الشديد على الذكاء الاصطناعي، وهو متعطش للغاية للذاكرة بسبب النطاق الترددي العالي واحتياجات التخزين للذكاء الاصطناعي”.
شرائح DRAM هي شرائح ذاكرة سريعة ومتطايرة تقوم بتخزين البيانات مؤقتًا بينما تستخدمها المعالجات بشكل نشط، في حين أن شرائح NAND عبارة عن شرائح تخزين أبطأ وغير متطايرة تحتفظ بالبيانات حتى عند إيقاف تشغيل الأجهزة.
وبينما يسعى صانعو الذاكرة إلى توسيع الإنتاج، أشار يو أيضًا إلى أن قدرة أشباه الموصلات الجديدة تستغرق عادةً من عامين إلى ثلاثة أعوام حتى يتم تشغيلها، مما يعني أنه من المرجح أن يظل العرض محدودًا على المدى القريب. وقد أدى ذلك إلى زيادة التوقعات بنمو أقوى في الأرباح والهوامش على مدى العام أو العامين المقبلين.
وحتى مع توقع تكثيف المصانع الجديدة في جميع أنحاء الصناعة خلال السنوات القليلة المقبلة، قال رولف بالك، رئيس قسم أشباه الموصلات والبنية التحتية في مجموعة Futurum Group، إن أسعار الذاكرة المرتفعة الحالية والأرباح القوية لشركة Samsung ونظيراتها من المرجح أن تظل مدعومة لبعض الوقت.
وأضاف بولك أن تعليقات العملاء على أحدث منتجات HBM4 من سامسونج كانت إيجابية، مما ساعد على تضييق الفجوة التكنولوجية مع SK Hynix.
في حين أن SK Hynix لا تزال تقود سوق HBM بحصة تقدر بـ 55٪ مقارنة بحصة Samsung البالغة 25٪ تقريبًا، قال Bulk إن المستثمرين أقل قلقًا بشأن الفجوة لأن ربحية DRAM التقليدية تجاوزت مؤخرًا هوامش HBM.
– ساهم ديلان بوتس من CNBC في هذا التقرير.
